Feldstärke im pn-übergang < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) überfällig  | | Datum: | 14:06 Do 23.04.2009 | | Autor: | SeLo |
| Aufgabe | a) Gegeben sei ein symmetrischer pn-Übergang (d.h. Konzentration: p-Dotierung NA = n-Dotierung ND) mit einer
Dotierstoffkonzentration NA=ND=1x1014cm-3.
Skizziere den schematischen Verlauf des elektrischen Feldes E(x) im Halbleiter
in Diagrammform bei Polung des pn-Überganges in Sperrrichtung.
Beschrifte signifikante Eckpunkte (E=0, E=maximal).
c) Wie lautet die Formel für den Zusammenhang zwischen elektrischem Feld E(x)
und der äusseren Sperrspannung V ?
d) Nach der Poisson Gleichung gilt für den Gradienten des E-Feldes: dE/dx=ρ(x)/ε
(ρ:= Nettoladung, ε=ε0∗εr=Dielektrizitätskonstante; ε0=8,85*10-12 C/(Vm) ; εr=8 für Si)
Berechne dE/dx für den unter a) angenommenen pn-Übergang
e) Wie gross ist der Spitzenwert des E-Feldes für den unter a) angenommenen
pn-Übergang bei Anliegen einer äusseren Sperrspannung von 500V ?
Könnte der pn-Übergang die Spannung von 1200V aushalten? |
Aufgabe a) und b) hab ich bereits gelöst, bei der Aufgabe c) bin ich mir nicht sicher ob die Formel V= [mm] -\integral_{a}^{b}{E dx} [/mm] für den Fall stimmt?!
Bei Aufgabe d) habe ich dE/dx = rho/e0=e0*N/epsilon=2,26V/cm²
Ich habe jetzt aber keinen Vergleich oder so ob der Wert stimmt und kenne mich mit der Sache auch noch nicht aus da wir das thema erst in der nächsten vorlesung haben, wir aber da schon die aufgabe vorstellen müssen.
Ist die Rechnung und der Wert richtig?!
Ich habe diese Frage in keinem anderen Forum gestellt.
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(Mitteilung) Reaktion unnötig  | | Datum: | 14:20 Mo 27.04.2009 | | Autor: | matux |
$MATUXTEXT(ueberfaellige_frage)
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